石墨烯纳米带中边缘缺陷的自发形成与缺陷诱导的电导抑制
介观与纳米尺度物理
2010-09-10 v2 材料科学
摘要
我们基于第一性原理研究了锯齿型石墨烯纳米带（ZGNRs）中边缘缺陷（碳吸附原子和/或空位）的迁移与复合及其对电导的影响。研究发现，在室温下，吸附原子沿ZGNRs边缘相当活跃，而空位几乎不动。吸附原子-空位对的复合导致形成五元环-七元环缺陷结构，其能量低于完美边缘，意味着这种边缘缺陷可以自发形成。这种边缘缺陷能急剧抑制ZGNRs的电导，这为理解所制备的窄GNRs中观察到的半导体行为提供了一些有用的线索。
引用
@article{arxiv.1009.0022,
title = {Spontaneous edge-defect formation and defect-induced conductance suppression in graphene nanoribbons},
author = {Jia Li and Zuanyi Li and Gang Zhou and Zhirong Liu and Jian Wu and Bing-Lin Gu and Jisoon Ihm and Wenhui Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0022},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 4 figures, to appear in PRB