SiC纳米带中的硼和氮杂质：第一性原理研究
材料科学
2011-05-09 v3
摘要
使用基于密度泛函理论的第一性原理计算，我们对碳化硅（SiC）纳米带中的替位硼和氮杂质进行了理论研究。我们考虑了具有锯齿形和扶手椅形边缘的氢钝化SiC纳米带。在这两种体系中，我们验证了硼和氮原子在能量上倾向于局域在纳米带的边缘。然而，硼优先替换硅原子，而氮则倾向于占据碳位。此外，我们的电子结构计算表明， 替位硼和氮杂质不影响扶手椅形SiC纳米带的半导体特性， 锯齿形纳米带的半金属行为在存在替位硼杂质时得以保持。相反，占据边缘碳位的氮原子将半金属锯齿形纳米带转变为金属体系。
引用
@article{arxiv.1101.5197,
title = {Boron and nitrogen impurities in SiC nanoribbons: an ab initio investigation},
author = {C. D. Costa and J. M. Morbec},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.5197},
year = {2011}
}