BN/石墨烯横向异质结构中的半金属和绝缘相
介观与纳米尺度物理
2016-07-04 v1
摘要
我们从理论上研究了最近实验中制备的石墨烯和氮化硼（BN）横向异质结构的电子结构。第一性原理密度泛函计算表明，在石墨烯纳米带区域可以感应出巨大的本征横向电场，并且该电场敏感地依赖于横向异质结构的边缘构型。极化电场源于BN-石墨烯界面处的电荷失配。这个巨大的电场可以在石墨烯纳米带中打开一个显著的带隙，并导致完全自旋极化的边缘态，以及在具有适当边缘构型的横向BN/石墨烯/BN异质结构中诱导半金属相。
引用
@article{arxiv.1404.1141,
title = {Half metallic and insulating phases in BN/Graphene lateral heterostructures},
author = {Dong Zhang and Maosheng Miao and Fuhua Yang and Haiqing Lin and Kai Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.1141},
year = {2016}
}