石墨烯纳米带中嵌入氮化硼域用于输运隙工程

我们通过数值方法研究了氮化硼 (BN) 域对长度从几纳米到数百纳米、横向尺寸高达 4 nm 的石墨烯纳米带输运性质的影响。通过改变嵌入石墨烯基体中的 BN 岛的大小和形貌，实现了从完美绝缘界面到不对称电子 - 空穴透射谱的广泛输运可调性，从而提供了设计迁移率隙以改善器件性能的可能性。即使在嵌入 BN 岛的低密度极限下，也发现输运性质高度依赖于 BN 域的形状和大小，并且随着纳米带中离子键数量的增加，表现出强烈的绝缘态倾向。这种导电性质的多功能性为基于新合成的一原子杂化层状材料设计复杂器件架构的输运隙工程提供了显著机遇。