氮化硼片中石墨烯纳米带的输运性质
介观与纳米尺度物理
2012-06-22 v1
摘要
我们证明，当石墨烯纳米带嵌入氮化硼（BN）片中时，出现在带隙中的一维（1D）输运通道在插入AB/BA晶界时更加稳健。我们的结论基于对BN/C界面处多种不同晶体取向和键合排列的从头算电子结构计算。这一性质与BN能带结构中存在的谷霍尔电导率以及具有位置依赖质量的连续狄拉克模型中出现的拓扑保护扭结态有关。
引用
@article{arxiv.1204.5210,
title = {Transport Properties of Graphene Nanoroads in Boron-Nitride Sheets},
author = {Jeil Jung and Zhenhua Qiao and Qian Niu and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.5210},
year = {2012}
}
备注
15pages, 6 figures