短周期 (CrAs)$_n$/(GaAs)$_n$ 铁磁异质结中的电子关联
材料科学
2015-05-20 v1 强关联电子
摘要
我们通过结合多体与电子结构计算，研究了 的 [001] 堆叠 (CrAs)/(GaAs) 异质结的半金属性。讨论了在强电子关联存在下 情形的界面态。对于 ，我们的结果表明，少数自旋半金属能隙在有限温度下被局域关联所抑制，并随着异质结周期的增加而持续缩小。尽管在室温附近，该异质结的磁化强度与理想整数值仅偏离 ，但 处的有限温度极化率至少降低了 。在费米能级以下，发现少数自旋最高价态更局域于 GaAs 层，而最低导态则具有多体起源。因此，我们的结果表明，在这些异质结中，空穴和电子仍分离在不同的层中。
引用
@article{arxiv.1011.4390,
title = {Electronic correlations in short period (CrAs)$_n$/(GaAs)$_n$ ferromagnetic heterostructures},
author = {L. Chioncel and I. Leonov and H. Allmaier and F. Beiuseanu and E. Arrigoni and T. Jurcut and W. Pötz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.4390},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 12 pages, submitted to PRB