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电子关联在金属间半-Heusler 化合物中的重要性

无序系统与神经网络 2020-12-09 v1 材料科学 强关联电子

摘要

HfNiSn 的低温扫描隧道谱在费米能级附近显示出 Vm(m<1)V^m(m < 1) 零偏压反常。这种具有分数幂律形状的局域态密度众所周知是电子关联的结果。作为比较,我们还测量了其他具有 18 个价电子的半-Heusler 化合物的隧穿电导。ZrNiPb 显示出类金属的局域态密度,而 ZrCoSb 和 NbFeSb 显示出线性和 V2V^2 反常。对这些反常的一种解释是这些化合物中正在打开关联能隙。通过分析 HfNiSn 的磁阻,我们证明了在低温下,电子-电子散射占主导地位。电导率的 Tm(m<1)T^m(m < 1) 温度依赖性证实了电子关联是体态性质而非表面性质。

关键词

引用

@article{arxiv.2012.04184,
  title  = {Importance of Electronic Correlation in the Intermetallic Half-Heusler Compounds},
  author = {Minjie Lu and Hao Chen and Glenn Agnolet},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2012.04184},
  year   = {2020}
}