半导体性半霍斯勒化合物 FeVSb 中的电子关联
材料科学
2021-01-29 v2
摘要
电子关联对于具有局域化 和 态的金属体系的低能物理至关重要；然而，其对带绝缘体和半导体的影响通常可忽略。本文中，我们测量了半霍斯勒化合物 FeVSb 的电子结构，该化合物为带绝缘体，每个化学式单元具有 18 个价电子的满壳层构型（）。角分辨光电子能谱（ARPES）揭示了 的质量重正化，其中 为测得的有效质量， 为未附加在位库仑排斥的密度泛函理论（DFT）计算所得质量。我们的测量与动力学平均场理论（DMFT）计算定量相符，凸显了质量重正化的多体起源。这一质量重正化与其他满壳层金属间化合物（包括热电材料 CoTiSb 和 NiTiSn）形成鲜明对比；且其起源与 FeSi 中类似，其中洪德耦合诱导的跨带隙涨落可解释动力学自能与关联。我们的工作呼吁重新思考关联与洪德耦合在金属间带绝缘体中的作用。
引用
@article{arxiv.2009.11489,
title = {Electronic correlations in the semiconducting half-Heusler compound FeVSb},
author = {Estiaque H. Shourov and Patrick J. Strohbeen and Dongxue Du and Abhishek Sharan and Felipe C. de Lima and Fanny Rodolakis and Jessica McChesney and Vincent Yannello and Anderson Janotti and Turan Birol and Jason K. Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.11489},
year = {2021}
}