光电子能谱探测 Fe$_{3-x}V$_x$Si 的电子结构

Y. T. Cui; A. Kimura; K. Miyamoto; K. Sakamoto; T. Xie; S. Qiao; M. Nakatake; K. Shimada; M. Taniguchi; S. -i. Fujimori; Y. Saitoh; K. Kobayashi; T. Kanomata; O. Nashima

doi:10.1002/pssa.200669648

光电子能谱探测 Fe$_{3-x}V$_x$Si 的电子结构

材料科学 2009-11-13 v1 其他凝聚态物理

作者: Y. T. Cui , A. Kimura , K. Miyamoto , K. Sakamoto , T. Xie , S. Qiao , M. Nakatake , K. Shimada , M. Taniguchi , S. -i. Fujimori , Y. Saitoh , K. Kobayashi , T. Kanomata , O. Nashima

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摘要

利用光电子能谱 (PES) 探测了浓度范围在 $x = 0$ 到 $x = 1$ 之间的 Heusler 型化合物 Fe $_{3-x}V$ _x $Si 的电子结构。观察到的 Si 2p 芯能级和主价带结构的移动表明，随着$ x $的增加，化学势向更高能量移动。研究还阐明，费米边处的态密度归因于 V 3d 和 Fe 3d 衍生态的协同作用。此外，随着$ x $增加，费米边附近光谱强度的降低表明在大$ x$处形成了赝能隙。

关键词

heusler 化合物电子结构光电子能谱化学势移动态密度费米边赝能隙

引用

@article{arxiv.0804.2712,
  title  = {Electronic Structures of Fe$_{3-x}V$_x$Si Probed by Photoemission Spectroscopy},
  author = {Y. T. Cui and A. Kimura and K. Miyamoto and K. Sakamoto and T. Xie and S. Qiao and M. Nakatake and K. Shimada and M. Taniguchi and S. -i. Fujimori and Y. Saitoh and K. Kobayashi and T. Kanomata and O. Nashima},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0804.2712},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 5 figures, 5 references

光电子能谱探测 Fe$_{3-x}V$_x$Si 的电子结构

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关键词

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