基于量子振荡研究的 BaNiS$_{2}$ 半金属中非局域电子关联的重要性
材料科学
2018-03-12 v1
摘要
通过 Shubnikov-de-Haas 和 de-Haas-van-Alphen 振荡以及第一性原理计算,我们研究了平均自由程 的高质量 BaNiS 单晶的费米面。量子振荡的角度和温度依赖性表明存在一个准二维费米面,由位于 处的类电子管以及由狄拉克能带产生、在面外方向弱色散的 4 个类空穴锥组成。在密度泛函理论框架下的第一性原理电子结构计算表明,为解释实验费米袋,必须包含屏蔽交换。因此,泛函的选择变得至关重要。具有 7% 精确交换的改进 HSE 杂化泛函优于 GGA 和 GGA+U 密度泛函,这标志着非局域屏蔽交换相互作用在 BaNiS 中以及更一般地 in 补偿半金属中的重要性。
引用
@article{arxiv.1803.03630,
title = {Importance of non-local electron correlations in BaNiS$_{2}$ semimetal from quantum oscillations studies},
author = {Yannick Klein and Michele Casula and David Santos-Cottin and Alain Audouard and David Vignolles and Gwendal Fève and Vincent Freulon and Bernard Plaçais and Marine Verseils and Hancheng Yang and Lorenzo Paulatto and Andrea Gauzzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.03630},
year = {2018}
}
备注
8 figures