用于 AlGaN UV LED 空穴注入的反射性金属/半导体隧穿结
应用物理
2017-09-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在本工作中，我们研究了利用纳米尺度极化工程实现从金属到超宽带隙 AlGaN 的高效空穴注入，并展示了紫外（UV）反射性铝（Al）层可用于向 p-AlGaN 进行空穴注入。我们研究了隧穿对金属功函数的依赖关系，发现尽管 Al 的功函数相对较低，但高反射性 Al 金属层仍能实现向 p-AlGaN 的高效空穴注入。通过 326 nm 的发光确认了高效的隧穿空穴注入，其片上峰值外量子效率和壁插效率分别为 2.65% 和 1.55%。在 1200 kA/cm2 下测得了 83.7 W/cm2 的高功率密度。本文展示的金属/半导体隧穿结结构可为高功率 UV 发射器的高效且可制造的器件拓扑结构提供显著优势。
关键词
引用
@article{arxiv.1705.08414,
title = {Reflective Metal/Semiconductor Tunnel Junctions for Hole Injection in AlGaN UV LEDs},
author = {Yuewei Zhang and Sriram Krishnamoorthy and Fatih Akyol and Jared M. Johnson and Andrew A. Allerman and Michael W. Moseley and Andrew M. Armstrong and Jinwoo Hwang and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.08414},
year = {2017}
}