隧道注入式亚 260 nm 紫外发光二极管
材料科学
2017-05-16 v1
摘要
我们报道了配置有极化工程化 Al0.75Ga0.25N/ In0.2Ga0.8N 隧道结结构的隧道注入式深紫外发光二极管 (UV LEDs)。隧道注入式 UV LED 结构使得底部和顶部接触层均可采用 n 型接触。然而，实现与宽带隙 n-AlGaN 层的欧姆接触具有挑战性，通常需要高温接触金属退火。在这项工作中，我们采用组分渐变的顶部接触层以实现非合金金属接触，并在 n-Al0.75Ga0.25N 上获得了 Rc=4.8x10-5 Ohm cm2 的低接触电阻。我们还观察到，通过将 Mg 掺杂浓度从 6.2x1018 cm-3 增加到 1.5x1019 cm-3，在 1 kA/cm2 电流密度下，正向工作电压从 30.9 V 显著降低至 19.2 V。通过 257 nm 处的光发射证实了向带隙 Eg>5.2 eV 的宽带隙 Al0.75Ga0.25N 中的非平衡空穴注入。这项工作证明了向深紫外 LED 进行隧道空穴注入的可行性，并为高功率深紫外发射器提供了一种新颖的结构设计。
引用
@article{arxiv.1703.00117,
title = {Tunnel-injected sub-260 nm ultraviolet light emitting diodes},
author = {Yuewei Zhang and Sriram Krishnamoorthy and Fatih Akyol and Sanyam Bajaj and Andrew A. Allerman and Michael W. Moseley and Andrew M. Armstrong and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.00117},
year = {2017}
}