极化工程GaN/InGaN/GaN隧道二极管
材料科学
2011-08-23 v1 其他凝聚态物理
量子物理
摘要
我们报道了具有高电流密度和低隧穿开启电压的极化工程GaN/InGaN/GaN隧道结二极管的设计与演示。使用Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB)计算来建模和设计具有窄带隙InGaN基势垒层的隧道结。采用分子束外延生长了N极性p-GaN/In0.33Ga0.67N/n-GaN异质结构隧道二极管。获得了高效的零偏压隧穿开启，在1V反向偏压下具有118 A/cm²的高电流密度，最大电流密度达到9.2 kA/cm²。这些结果代表了III族氮化物隧道结中报道的最高电流密度，并展示了III族氮化物隧道器件在广泛光电子和电子应用中的潜力。
引用
@article{arxiv.1008.4124,
title = {Polarization-engineered GaN/InGaN/GaN tunnel diodes},
author = {Sriram Krishnamoorthy and Digbijoy N. Nath and Fatih Akyol and Pil Sung Park and Michele Esposto and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.4124},
year = {2011}
}
备注
3 pages, 3 figures