基于InN和GaN的渡越时间模式耿氏二极管电流密度的理论研究
材料科学
2010-07-01 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们首次报道了纤锌矿相氮化铟（InN）基垂直结构耿氏二极管在1微米有源区长度下的频率响应和相应的电流密度。利用所提出的数学方程，还研究了畴生长动力学随空间和时间的变化、畴速度的变化以及畴附近区域外的场随畴场的变化。研究发现，基于InN的耿氏二极管能够在300 K下以691 kA/cm²的电流密度在约224 GHz频率下工作。为了比较，我们还评估了基于纤锌矿相氮化镓（GaN）的不同有源区长度的耿氏二极管的这些特性。模拟结果与其他关于GaN基耿氏二极管的报告一致。
引用
@article{arxiv.1006.5809,
title = {Theoretical study of current density for InN and GaN-based Gunn diode operating in transit-time mode},
author = {M O Islam and M G Hassan and M R Islam and M A Uddin and Z H Mahmood},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5809},
year = {2010}
}
备注
10 pages, 4 figures