具有 BaTiO3 电场管理的 7.86 kV 氮化镓自支撑 PN 功率二极管
应用物理
2023-03-29 v1
摘要
基于 GaN 的器件因其高击穿场和高电子迁移率，在高功率开关应用中具有巨大潜力。本工作中，我们提出了一种垂直 GaN-on-GaN PN 功率二极管器件设计，采用高介电常数（高-k）介质进行电场管理与高击穿电压，并结合保护环与场板。所制备的具有 57 um 厚漂移层的二极管在体 GaN 衬底上实现了 7.86 kV 的击穿电压。该器件具有 2.8 mohm.cm2 的导通电阻与 22 GW/cm2 的 Baliga 优值。
引用
@article{arxiv.2303.15646,
title = {7.86 kV GaN-on-GaN PN Power Diode with BaTiO3 for Electrical Field Management},
author = {Yibo Xu and Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram and Vishank Telasara and Junao Cheng and Yuxuan Zhang and Tadao Hashimoto and Edward Letts and Daryl Key and Hongping Zhao and Wu Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.15646},
year = {2023}
}
备注
4 pages, 6 figures