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用于质子束监测的氮化镓肖特基二极管

仪器与探测器 2018-10-22 v1 应用物理

摘要

我们已证明 GaN 肖特基二极管可用于高能(64.8 MeV)质子探测。此类质子束用于肿瘤治疗,需要准确且耐辐射的探测器。已测得肖特基二极管对质子高度敏感、对束流强度呈线性响应且足够快以满足应用需求。在二极管中发现了一些光电导增益,从而在响应度与响应时间之间取得良好折衷。同时也展示了 GaN 二极管在质子探测中的成像能力。

关键词

引用

@article{arxiv.1810.08377,
  title  = {GaN Schottky diodes for proton beam monitoring},
  author = {Jean-Yves Duboz and Julie Zucchi and Eric Frayssinet and Patrick Chalbet and Sébastien Chenot and Maxime Hugues and Jean-Claude Grini and Richard Trimaud and Marie Vidal and Joël Hérault},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1810.08377},
  year   = {2018}
}

备注

12 pages, 3 figures