碳化硅探测器的轻离子响应
核实验
2009-11-11 v1
摘要
采用 21 μm 厚、小面积、高 N 掺杂浓度的碳化硅（SiC）肖特基二极管探测 α 粒子和低能轻离子。特别地，使用了入射能量在 5 至 18 MeV 之间的 12C 和 16O 束流。在不同反向偏压值下测量了二极管有源区耗尽层厚度、响应线性度、能量分辨率和信号上升时间。此外，探究了由 53 MeV 16O 束流辐照的 SiC 二极管的辐射损伤。数据显示 SiC 材料比硅耐辐照，但至少比外延硅二极管低一个数量级的硬度。在通量 10^15 ions/cm^2 处发现了信号反转。
引用
@article{arxiv.nucl-ex/0612018,
title = {Light Ions Response of Silicon Carbide Detectors},
author = {M. De Napoli and G. Raciti and E. Rapisarda and C. Sfienti},
journal= {arXiv preprint arXiv:nucl-ex/0612018},
year = {2009}
}
备注
20 pages, 16 figures, submitted for publication to Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A