SiC探测器的电学与能谱特性
应用物理
2020-01-13 v1 材料科学
摘要
本文比较了三种不同半绝缘体块体碳化硅(SiC)材料用于制备辐射探测器的适用性。我们制备了具有不同金属接触组合的平面传感器，并通过α能谱与I-V特性测量表征探测器质量。我们观察到II-VI公司的4H-SiC材料因高浓度钒掺杂而不适于辐射探测器制备。我们还给出了4H-SiC Norstel材料因高浓度残余杂质导致的较差电荷收集效率，并从α能谱评估出低迁移率-寿命积 。我们证明Cree公司的4H-SiC材料是辐射探测器制备的最佳候选。我们利用AuTi/SiC/TiAu接触结构评估出迁移率-寿命积 。
引用
@article{arxiv.2001.03351,
title = {Electrical and Spectroscopic Properties of SiC Detectors},
author = {Mykola Brynza and Eduard Belas and Petr Praus and Jindrich Pipek and Roman Grill},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.03351},
year = {2020}
}