4H-SiC LGAD的电荷收集性能
仪器与探测器
2024-05-29 v1 高能物理 - 实验
摘要
4H-SiC材料表现出良好的探测性能，但仍存在许多问题，如信号失真和信号质量较差。首次制造的4H-SiC低增益雪崩探测器（LGAD）用于解决这些问题，命名为SICAR（SIlicon CARbide）。报告了该4H-SiC LGAD的电气特性和电荷收集性能。研究了不同金属厚度对器件漏电流的影响。通过优化制造工艺，器件的漏电流降低了四个数量级。实验结果确认，该4H-SiC LGAD具有明显的增益结构，SICAR的增益因子在150 V时约为2。使用5.54 MeV的α粒子照射分析器件的电荷收集效率（CCE），结果显示在100 V时CCE为90%。本研究为高能粒子物理场合的4H-SiC LGAD辐射探测器提供了一种新颖的方案。
关键词
引用
@article{arxiv.2405.18112,
title = {Charge Collection Performance of 4H-SiC LGAD},
author = {Sen Zhao and Keqi Wang and Kaibo Xie and Chenxi Fu and Chengwei Wang and Xin Shi and Congcong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.18112},
year = {2024}
}