4H-SiC 低增益雪崩探测器 (LGAD) 的表征
仪器与探测器
2025-09-05 v2 高能物理 - 实验
摘要
已制造并表征了 4H-SiC 低增益雪崩探测器 (LGAD)。该器件采用圆形 mesa 设计, 采用低电阻性接触和 SiO 表面钝化层。比较了 4H-SiC LGAD 的 I-V 和 C-V 特性与互补的 4H-SiC PiN 二极管, 以确认其高击穿电压和低泄漏电流。对 LGAD 和 PiN 二极管均接受到来自 源的 粒子照射。比较了每个器件收集的电荷, 并观察到在 4H-SiC LGAD 中实现了低增益载流子乘增。
引用
@article{arxiv.2408.12744,
title = {Characterization of 4H-SiC Low Gain Avalanche Detectors (LGADs)},
author = {Tao Yang and Ben Sekely and Yashas Satapathy and Greg Allion and Philip Barletta and Carl Haber and Steve Holland and John F. Muth and Spyridon Pavlidis and Stefania Stucci},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.12744},
year = {2025}
}