4H-SiC 低增益雪崩二极管的仿真
仪器与探测器
2022-06-22 v1
摘要
碳化硅器件（4H-SiC）在理论上具有潜在的抗辐射硬度、高饱和载流子速度和低温敏感性。硅低增益雪崩二极管（LGAD）已被验证具有优异的时间性能。因此，本文引入 4H-SiC LGAD 以应用于探测最小电离粒子（MIPs）。我们在解析分析后提供了确定增益层厚度与掺杂浓度的指导。我们的设计采用增益层厚度 。我们设计了两种具有两类电场的 4H-SiC LGAD，并利用 TCAD 工具仿真了相应的漏电流、电容与增益。通过对仿真结果的分析，讨论了两类 4H-SiC LGAD 的优缺点。
引用
@article{arxiv.2206.10191,
title = {Simulation of the 4H-SiC Low Gain Avalanche Diode},
author = {Tao Yang and Yuhang Tan and Congcong Wang and Xiyuan Zhang and Xin Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.10191},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 11 figures