一种实现具有碰撞电离增益的硅二极管探测器高粒度的新途径
仪器与探测器
2021-01-05 v1
摘要
低增益雪崩二极管（LGADs）是薄（20-50 ）硅二极管传感器，具有适度的内部增益（通常为5至50）和卓越的时间分辨率（17 至 50 ）。然而，由于需要在读出焊盘边界处包含保护结构以避免由局部大电场引起的提前击穿，此类器件的粒度受限于毫米尺度。在本文中，我们提出了一种新途径——深结LGAD（DJ-LGAD）——将高场增益区与读出平面解耦。该方法有望在维持分段电极上直接电荷收集的同时，将可实现的LGAD粒度提高到数十微米尺度。
引用
@article{arxiv.2101.00511,
title = {A new approach to achieving high granularity for silicon diode detectors with impact ionization gain},
author = {S. Ayyoub and C. Gee and R. Islam and S. M. Mazza and B. Schumm and A. Seiden and Y. Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.00511},
year = {2021}
}
备注
16 pages, 12 figures