采用 Micron Semiconductor Ltd 制备的 50 μm 低增益雪崩探测器实现 26.5 ps 时间分辨率
仪器与探测器
2023-10-11 v1
摘要
低增益雪崩探测器(LGADs)是一种具有注入薄 p 型倍增层的硅半导体传感器,旨在提供低增益。最为重要的是,LGADs 经过专门设计可同时提供优异的空间与时间分辨率。该技术展现出满足未来高能物理实验 4D 跟踪需求的光明前景。Micron Semiconductor Ltd. 已制备出有源厚度为 50 m 的 LGADs。其电学与计时性能已被测量,并与 IMB-CNM 制备的器件作为参考进行比较。采用由 Sr-90 产生的最小电离粒子的专用装置测得,Micron Semiconductor Ltd. 的 50 m 薄型 LGADs 时间分辨率约为 30 ps。具体而言,在 -30{\deg}C、200 V 偏置电压下测得最佳时间分辨率为 26.5 ps。
引用
@article{arxiv.2310.06183,
title = {26.5 ps Time Resolution Using 50 {\mu}m Low Gain Avalanche Detectors Fabricated by Micron Semiconductor Ltd},
author = {R. Moriya and R. Bates and M. Bullough and N. Cooke and A. Docheva and L. Lombigit and D. Maneuski and R. McFeely and N. Moffat},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.06183},
year = {2023}
}