利用同步辐射 X 射线表征 SiC 辐射探测器技术
仪器与探测器
2024-12-17 v1
摘要
为了应对高辐射水平的环境，人们提出使用诸如碳化硅探测器等非硅半导体用于仪器设备。IMB-CNM 洁净室制备了用于辐射探测的 4H-SiC 二极管，并实现了多种定义植入物电接触的策略，试图优化该技术以适用于例如医疗应用或低能辐射探测，因为材料的选择会影响器件的灵敏度。在这些技术中，包含一层外延生长的石墨烯作为电接触的一部分。本文选取了四种构型的 IMB-CNM SiC 二极管，就其辐射探测器响应进行了表征。展示了在 ALBA 同步辐射装置的 XALOC 光束线下，光电二极管在 20 keV X 射线辐照下的性能。观察到与辐射和金属层相互作用相关的 12-19% 范围内的过响应。报告显示，在 0~V 偏压下具有良好的响应均匀性和线性度，甚至在欠耗尽器件中也是如此。这项工作举例说明了在 IMB-CNM 制备的 SiC 探测器具有良好的性能，特别适用于高 X 射线强度下的低能 X 射线表征。
引用
@article{arxiv.2411.12320,
title = {Characterisation of SiC radiation detector technologies with synchrotron X-rays},
author = {Ivan Lopez Paz and Celeste Fleta and Joan Marc Rafí and Gemma Rius and Philippe Godignon and Giulio Pellegrini and Silvia Mena and Marcio Jimenez and Angela Henao and Javier Bravo and Roeland Boer and Bernat Molas and Consuelo Guardiola},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.12320},
year = {2024}
}
备注
12 pages, 5 figures. accepted to JINST