SINTEF 研制的硅像素 3D 传感器的束流测试
仪器与探测器
2018-09-26 v2
摘要
为了承受极高的辐射剂量，正在研制具有 3D 电极几何结构的硅像素传感器。这类探测器对于高亮度 LHC 中预期的恶劣辐射环境，以及空间物理和医学应用都极具意义。本文介绍了在 SINTEF 研制的原型传感器，并给出了在 CERN 的 π 介子束中测试的结果。这些测试表明，这些 3D 传感器在 5 至 15V 的偏置电压下以全效率运行，表现符合预期。
引用
@article{arxiv.1806.08293,
title = {Beam tests of silicon pixel 3D-sensors developed at SINTEF},
author = {Ole Dorholt and Thor-Erik Hansen and Andreas Heggelund and Angela Kok and Nicola Pacifico and Ole Rohne and Heidi Sandaker and Bjarne Stugu and Zongchang Yang and Marco Bomben and Andre Rummler and Jens Weingarten},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.08293},
year = {2018}
}