经π介子和质子辐照的硅像素探测器中的信号高度
仪器与探测器
2010-01-21 v1 高能物理 - 实验
摘要
像素探测器用于大型强子对撞机（LHC）多用途实验的最内部，因此暴露于最高通量的电离辐射中，该部分探测器中的辐射主要由带电π介子组成。探测器的辐射硬度已针对LHC预期的通量进行了彻底测试。在LHC升级的情况下，通量将高得多，目前尚不清楚现有像素技术可在多大半径范围内使用。为了确定这一极限，将CMS像素读出芯片（PSI46V2.1）大小的像素传感器进行倒装焊，并在PSI用正π介子辐照至6E14 Neq/cm^2，用质子辐照至5E15 Neq/cm^2。这些传感器取自CMS桶部像素探测器的生产晶圆。它们使用电阻率约为3.7kOhm cm的n型DOFZ材料和n侧读出。由于硅传感器的性能受俘获限制，我们研究了其对Sr-90源的响应。高能β粒子很好地代表了最小电离粒子。将给出宽通量范围内信号的偏压依赖性。
引用
@article{arxiv.0901.3422,
title = {Signal height in silicon pixel detectors irradiated with pions and protons},
author = {T. Rohe and J. Acosta and A. Bean and S. Dambach and W. Erdmann and U. Langenegger and C. Martin and B. Meier and V. Radicci and J. Sibille and P. Trueb},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.3422},
year = {2010}
}
备注
Contribution to the 7th International Conference on Radiation Effects on Semiconductor Materials, Detectors and Devices October 15-17, 2008 Firenze, Italy