CMS像素探测器升级中读出芯片与硅传感器退化研究

Gemma Tinti

CMS像素探测器升级中读出芯片与硅传感器退化研究

仪器与探测器 2011-10-07 v1 高能物理 - 实验

作者: Gemma Tinti

摘要

混合硅像素探测器目前用于紧凑缪子螺线管（CMS）实验最内层的径迹探测系统。虽然已经证明了大型强子对撞机（LHC）运行数年预期通量下的耐辐照性能，但靠近相互作用点的硅探测器部分预计会出现一些退化。在LHC升级阶段，硅像素探测器的预期剂量水平将高得多。为应对这一问题，我们对硅传感器和读出芯片进行了通量高于 $\mathcal{O}(10^{15})$ n $_{\textrm{eq}}$ /cm $^2$ 的专门辐照测试。给出了传感器和读出芯片随通量变化的性能变化。对电荷收集效率进行了研究：通过在受控环境中运行探测器并提高偏置电压，可以实现探测器效率的部分恢复。

关键词

硅像素探测器辐照损伤电荷收集效率 CMS实验 LHC升级读出芯片通量

引用

@article{arxiv.1110.1173,
  title  = {Study of the readout chip and silicon sensor degradation for the CMS pixel upgrade},
  author = {Gemma Tinti},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1110.1173},
  year   = {2011}
}

备注

conference; 6 pages; 5 figures

CMS像素探测器升级中读出芯片与硅传感器退化研究

摘要

关键词

引用

备注

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