高$Q$值4H-SiC微谐振器中电光效应的研究
光学
2023-03-22 v3
摘要
碳化硅（SiC）因其独特的材料特性，近来成为一种颇具前景的光子与量子材料。在此，我们对高品质因子4H-SiC微谐振器中的电光效应进行了探索性研究。我们的发现首次证实了4H-SiC中Pockels效应的存在。提取出的Pockels系数在不同厂商的4H-SiC晶圆间呈现一定差异，与的量级分别估计在(0.3–0.7) pm/V与(0–0.03) pm/V范围内。
引用
@article{arxiv.2212.01914,
title = {Investigation of the electro-optic effect in high-$Q$ 4H-SiC microresonators},
author = {Ruixuan Wang and Jingwei Li and Lutong Cai and Qing Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.01914},
year = {2023}
}