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半绝缘4H-SiC横向体声波谐振器

材料科学 2021-03-23 v3

摘要

碳化硅(SiC)以其优异的力学特性著称,在微机电系统(MEMS)中被广泛研究。近年来,4H-SiC中色心的力学调控已被证实,拓展了其在量子自旋电子学中的应用。机械谐振器中产生的应变可用于操控色心量子比特的量子态。本工作报道了一种由半绝缘(SI)体4H-SiC晶圆制备的横向泛音机械谐振器。在SiC上采用氮化铝(AlN)压电换能器驱动谐振。该谐振器展现出一系列品质因数(Q)高于3000的模态。位于锚区的声反射器在300 MHz谐振处使Q提升了22%,并抑制了偏离该频率的泛音模态。这种单片SiC谐振器允许从晶圆两侧对SiC色心进行光学访问,为量子测量提供了便利的装置条件。

关键词

引用

@article{arxiv.2101.03281,
  title  = {Semi-insulating 4H-SiC lateral bulk acoustic wave resonators},
  author = {Boyang Jiang and Noah F. Opondo and Sunil A. Bhave},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2101.03281},
  year   = {2021}
}

备注

4 pages 5 figures