用于产生单轴应力的SiC悬臂梁
介观与纳米尺度物理
2019-11-20 v1 应用物理
摘要
本文展示了首例由体块高纯半绝缘4H碳化硅晶圆(HPSI 4H-SiC)制造的梁谐振器。我们的创新包括：(1) 多级正面、背面电感耦合等离子体-深反应离子刻蚀(ICP-DRIE)技术，用于制造由SiC衬底框定的薄型、低质量弯曲模式谐振器；(2) 激光多普勒振动仪(LDV)测得机械品质因数(Q) > 10,000，频率范围从300 kHz到8MHz；(3) 计算所得在真空中共振工作时谐振器基部顶表面的单轴面内表面应力为20 MPa。
引用
@article{arxiv.1911.08347,
title = {SiC Cantilevers For Generating Uniaxial Stress},
author = {Boyang Jiang and Noah Opondo and Gary Wolfowicz and Pen-Li Yu and David D. Awschalom and Sunil A. Bhave},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.08347},
year = {2019}
}
备注
4 pages, 5 figures, 1 table. Conference paper for Transducers 2019