高 Q 值 SiC 微谐振器
光学
2015-06-16 v1
摘要
我们展示了基于在硅上外延生长的标准 3C SiC 的光子器件。通过利用 SiC 的高刚度并 undercut 底层硅衬底，我们实现了高光限制。我们在商用 SiC-on-silicon 衬底上制备了半径为 20 um 的悬浮微环谐振器，其 Q 值达到 18000。
引用
@article{arxiv.1306.2937,
title = {High Q SiC microresonators},
author = {Jaime Cardenas and Mian Zhang and Christopher T. Phare and Shreyas Y. Shah and Carl B. Poitras and Michal Lipson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.2937},
year = {2015}
}