超高 Q 值片上硅锗微谐振器
光学
2021-11-22 v1 应用物理
摘要
我们展示了全结晶、单模超高品质因数集成微谐振器，其由外延生长的 SiGe 波导芯与硅包层构成。这些波导支持两种偏振模式的内部 谐振，比先前集成硅光子平台所见提高了近一个数量级。横向磁 (TM) 偏振模式的最大 为 ，对应于 dB/m 的损耗。结合硅在光学、微波和声学 regimes 中的强 Kerr 非线性和低损耗，我们的结果可能使 SiGe/Si 架构为 Kerr 频率梳、光力学和量子转导开启重要的新途径。
引用
@article{arxiv.2111.10292,
title = {Ultrahigh-$Q$ on-chip silicon-germanium microresonators},
author = {Ryan Schilling and Chi Xiong and Swetha Kamlapurkar and Abram Falk and Nathan Marchack and Stephen Bedell and Richard Haight and Christopher Scerbo and Hanhee Paik and Jason S. Orcutt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.10292},
year = {2021}
}