单光子状态下具有低微波损耗的单晶硅电容器
介观与纳米尺度物理
2011-06-21 v2 超导电性
量子物理
摘要
我们使用单晶硅介质平行板电容器（电容 C >2 pF）制造了集总元件几何结构的超导微波谐振器。在 T = 20 mK 的单光子激发状态下，谐振频率在 4.0 至 6.5 GHz 之间的铝器件表现出平均内部品质因子 Q_i 为 2 x 10^5。将所有观测到的损耗归因于电容元件，我们的测量结果对应本征硅的损耗角正切为 5 x 10^-6。这一损耗水平比当前在包含非晶介质材料的结构中观测到的低一个数量级，从而使单晶硅电容器成为实现长寿命量子电路的一条有吸引力且稳健的途径。
引用
@article{arxiv.1102.2917,
title = {Single crystal silicon capacitors with low microwave loss in the single photon regime},
author = {S. Weber and K. W. Murch and D. H. Slichter and R. Vijay and I. Siddiqi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.2917},
year = {2011}
}