基于薄埋氧绝缘体上硅衬底的纳米光子器件
光学
2010-03-30 v1
摘要
我们展示了一种利用局部衬底去除技术、基于薄埋氧绝缘体上硅（SOI）衬底的硅光子平台。我们展示了利用该技术制造的高限制硅条形波导、微环谐振器和纳米拉锥。采用截断法测得的波导传输损耗，准TE模为3.88 dB/cm，准TM模为5.06 dB/cm。获得了准TM模加载品质因数（Q）为46,500的环谐振器，以及准TE模本征Q为148,000的环谐振器。该工艺将实现光子结构与基于薄埋氧SOI的电子学的集成。
引用
@article{arxiv.0912.0775,
title = {Nanophotonic devices on thin buried oxide Silicon-On-Insulator substrates},
author = {Suresh Sridaran and Sunil A. Bhave},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0775},
year = {2010}
}