绝缘体上薄膜铌酸锂平台中高性能全刻蚀各向同性微环谐振器
应用物理
2019-09-04 v1 信号处理
摘要
我们展示了基于单模条形波导和横向磁(TM)偏振、在全面刻蚀的绝缘体上的锆切(Z-cut)薄膜铌酸锂中、具有小半径(~ 30 {\mu}m)的极高性能各向同性微环谐振器的设计、制备与实验结果。器件损耗预计 < 10 dB/cm，实测约为 7 dB/cm。微环谐振器的实测光学响应表现出约 25 dB 的消光比(接近临界耦合)、全通结构 49 pm(~ 6 GHz)的 3 dB 光带宽、 add-drop 结构约 10 dB 的消光比，以及约 5.26 nm 的自由光谱范围，所有这些均与设计高度吻合。该工作是迈向绝缘体上薄膜铌酸锂中超紧凑全各向同性光学调制器的第一步。
引用
@article{arxiv.1907.10714,
title = {High performance fully etched isotropic microring resonators in thin-film lithium niobate on insulator platform},
author = {Meisam Bahadori and Yansong Yang and Lynford L. Goddard and Songbin Gong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.10714},
year = {2019}
}