基于部分掩埋水平槽波导的高性能纳米光子电路
光学
2014-01-21 v1
摘要
我们提出了一种在通信波长下于低折射率介电薄膜中构建高性能纳米光子器件的新平台。通过 PECVD 沉积高折射率非晶硅形成水平槽，为根据应用需求定制纳米光子器件提供了一种便捷且低成本的方式。我们获得了低于 2 dB/cm 的低传播损耗，从而能够制造出实测光学品质因子超过 10^5 的光学谐振器。我们设计并实验演示了片上光栅耦合器，以 4 dB 的耦合损耗和超过 110 nm 的光学带宽将光高效耦合进集成电路。整个片上电路包括输入/输出耦合器、具有高消光比的 Mach-Zehnder 干涉仪以及环形、跑道型谐振器，均经过了设计、制造与表征。
引用
@article{arxiv.1401.4800,
title = {High performance nanophotonic circuits based on partially buried horizontal slot waveguides},
author = {Chi Xiong and Wolfram H. P. Pernice and Mo Li and Hong X. Tang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.4800},
year = {2014}
}