立方 (3C) 型碳化硅薄膜中的光子晶体腔
光学
2014-01-03 v2 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
我们展示了在硅衬底上外延生长的立方 (3C) 型碳化硅 (SiC) 薄膜（厚度约 200 nm）中，具有高品质因子和小模式体积的平面光子晶体腔的设计、制备与表征。我们演示了覆盖电信波段（波长 1,250 - 1,600 nm）的腔共振。最后，我们讨论了其在非线性光学、光互连及量子信息科学中的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1310.2222,
title = {Photonic Crystal Cavities in Cubic (3C) Polytype Silicon Carbide Films},
author = {Marina Radulaski and Thomas M. Babinec and Sonia Buckley and Armand Rundquist and J Provine and Kassem Alassaad and Gabriel Ferro and Jelena Vučković},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.2222},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 6 figures