3C-SiC 中的高 Q/V 二维光子晶体腔
量子物理
2019-07-16 v2 介观与纳米尺度物理
光学
摘要
固态量子发射体是量子技术中单光子生成最有前景的候选者之一。然而，它们受到退相干效应的影响，限制了其效率与不可区分性。例如，大多数色心在零声子线（ZPL）中的辐射仅为百分之几（如金刚石中的 中心、SiC 中的 ），限制了单光子的发射率及效率。同时，在金刚石与 SiC 技术上，以集成方式可靠地与水晶光接口仍是一项挑战。在此，我们开发了 3C SiC 中 Q 因子约为 7,100 的光子晶体腔。我们讨论了这种高限制腔如何显著增强 ZPL 中发射的光子比例并改善其特性。特别是，效率的提升与不可区分性的改善可为固态量子技术开辟道路。
引用
@article{arxiv.1812.01548,
title = {High-Q/V two-dimensional photonic crystals cavities in 3C-SiC},
author = {Ioannis Chatzopoulos and Francesco Martini and Robert Cernansky and Alberto Politi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.01548},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 5 figures