与栅极强耦合的高 Q 氮化硅薄膜鼓形谐振器
应用物理
2021-06-17 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
具有高质量机械特性的氮化硅(SiN)机械谐振器在基础研究和应用中颇具吸引力。然而,在实现对电路的高效片上集成强耦合的同时保持这些机械特性颇具挑战。在此,我们展示了一种覆有铝薄膜的 SiN 鼓形谐振器,其可实现与悬浮顶栅的大电容耦合。通过实施完整的电学测量方案,我们展示了约 1E4 的高品质因数(与室温下裸鼓相当),并呈现了在低温下探测约 10 个机械模式的能力。该鼓形谐振器还与微波腔耦合,从而我们能以相当好的耦合强度 G 进行光机边带泵浦,并展示机械参量放大。这种 SiN 鼓形谐振器设计提供了高效的电学集成,并在探索模式耦合与信号处理方面展现出良好前景。
引用
@article{arxiv.2104.07142,
title = {High-Q silicon nitride drum resonators strongly coupled to gates},
author = {Xin Zhou and Srisaran Venkatachalam and Ronghua Zhou and Hao Xu and Alok Pokharel and Andrew Fefferman and Mohammed Zaknoune and Eddy Collin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.07142},
year = {2021}
}