高应力氮化硅谐振器的石墨烯金属化以实现电学集成
材料科学
2013-09-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
高应力化学计量比氮化硅谐振器的品质因数超过一百万，已在传感和信号处理应用中展现出潜力。然而，绝缘氮化硅谐振器的电学集成一直具有挑战性，因为即使沉积一层薄薄的金属也会显著降低品质因数。在本工作中，我们表明，将石墨烯用作 Si3N4 薄膜的导电涂层，平均使品质因数降低不到 30%，与铬或铝等传统金属化层的影响相比，这一降幅微乎其微。我们演示了 Si3N4-石墨烯 (SiNG) 异质结构谐振器的电学集成，实现了电学读出以及高达每伏 1% 的频率静电调谐。这些研究证明了混合石墨烯/氮化物机械谐振器的可行性，其中石墨烯的电学特性与氮化硅卓越的机械性能相结合。
引用
@article{arxiv.1305.4852,
title = {Graphene Metallization of High-Stress Silicon Nitride Resonators for Electrical Integration},
author = {Sunwoo Lee and Vivekananda P. Adiga and Robert A. Barton and Arend van der Zande and Gwan-Hyoung Lee and B. Rob Ilic and Alexander Gondarenko and Jeevak M. Parpia and Harold G. Craighead and James Hone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4852},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 5 figures, journal