克服 Si3N4 薄膜应力限制以实现高品质因子环形谐振腔
光学
2013-09-27 v1
摘要
氮化硅 (Si3N4) 环形谐振腔对于多种光子器件至关重要。然而，氮化硅固有的高薄膜应力限制了环形谐振腔的光限制能力和品质因子 (Q)。我们表明，通过引入机械沟槽将光子器件与传播裂纹隔离开来，可以克服 Si3N4 薄膜中的应力。我们展示了一种本征品质因子为 700 万的 Si3N4 环形谐振腔，对应的传播损耗为 4.2 dB/m。这是迄今为止在 1550 nm 波长范围内报道的高限制 Si3N4 环形谐振腔的最高品质因子。
引用
@article{arxiv.1306.2994,
title = {Overcoming Si3N4 film stress limitations for High Quality factor ring resonators},
author = {Kevin Luke and Avik Dutt and Carl B. Poitras and Michal Lipson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.2994},
year = {2013}
}