高Q值薄膜微谐振器中材料阻尼的控制
介观与纳米尺度物理
2012-05-08 v2
摘要
我们研究了双层铝/氮化硅薄膜的力学品质因子。通过用损耗更高的金属涂覆超高Q值的Si3N4薄膜，我们能够精确测量材料损耗对大频率范围内张紧谐振模式Q值的影响。我们建立了一个理论模型来解释我们的结果，并预测通过图案化金属薄膜可以显著降低阻尼。利用这种图案化方法，我们在室温下制备了具有超高Q值的Al-Si3N4薄膜。我们的工作阐明了材料损耗在薄膜谐振器Q值中的作用，并为用于光-电-机械量子界面的混合力学振荡器的设计提供了参考。
引用
@article{arxiv.1111.1703,
title = {Control of Material Damping in High-Q Membrane Microresonators},
author = {P. -L. Yu and T. P. Purdy and C. A. Regal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.1703},
year = {2012}
}