纳米机械氮化硅膜谐振器中反冲损耗的控制
介观与纳米尺度物理
2016-09-14 v1
摘要
在反冲阻尼分析的背景下，我们设计并制作了一种配备有特定片上结构的膜谐振器，该结构作为圆形膜的“损耗屏蔽”。在该器件中，膜的振动品质因数达到 ，对于所有模式且无论模态形状如何，即使在低频下也达到了由氮化硅本征耗散设定的极限。在我们的损耗屏蔽理论模型的指导下，我们描述了该器件的设计原理，它可以在先进的光机械装置中作为商业膜谐振器的有效替代品，即使在低温下也适用。
引用
@article{arxiv.1607.04485,
title = {Control of Recoil Losses in Nanomechanical SiN Membrane Resonators},
author = {A. Borrielli and L. Marconi and F. Marin and F. Marino and B. Morana and G. Pandraud and A. Pontin and G. A. Prodi and P. M. Sarro and E. Serra and M. Bonaldi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.04485},
year = {2016}
}