超高品质因数 SiN 薄膜谐振器中的耗散
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1 光学
量子物理
摘要
我们结合光谱学与干涉成像技术研究化学计量比 SiN 谐振器的光机械特性。在室温下，我们实现了 的超高品质因数和 Hz 的 乘积；据我们所知，这对应于迄今报道的介观弯曲谐振器的最大值。通过对谐振器和衬底几何结构依赖的极限耗散机制进行全面研究，我们确定通过支撑衬底的辐射损耗是主要的损耗过程。除了通过优化衬底设计指向更高品质因数的途径外，我们的工作还实现了一个 enabling platform，用于在与室温热浴耦合的宏观机械系统中观测和控制量子行为。
引用
@article{arxiv.1311.1234,
title = {Dissipation in ultrahigh quality factor SiN membrane resonators},
author = {S. Chakram and Y. S. Patil and L. Chang and M. Vengalattore},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1234},
year = {2015}
}