脏介电环境下高阻抗谐振器的性能

高阻抗谐振器是实现自旋量子比特间长距离纠缠门的有力竞争者。通常,自旋量子比特的制备依赖于使用栅介质,而这不利于谐振器质量。在此,我们研究了热生长 SiO₂ 与原子层沉积制备的 Al₂O₃ 附近高阻抗 NbTiN 谐振器的损耗机制。我们在增强磁场与升高温度下对谐振器性能进行基准测试,发现内品质因数受谐振器与所采用氧化物中两能级系统的耦合所限制。尽管如此,在所有研究的氧化物配置下高阻抗谐振器的内品质因数均超过 $10^3$,这意味着该介电配置不会限制集成于自旋量子比特器件中谐振器的性能。由于这些氧化物常用于自旋量子比特器件制备,我们的结果使得高阻抗谐振器可直接集成入基于自旋的量子处理器。因此,这些实验为大规模基于自旋的量子计算机铺平了道路。