单晶3C-SiC超高频纳米机械谐振器中的耗散
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
测量了单晶3C-SiC超高频(UHF)纳米机械谐振器的能量耗散1/Q（其中Q为品质因数）和共振频率特性，针对一系列共振频率为295MHz、395MHz、411MHz、420MHz、428MHz和482MHz的UHF谐振器。在这些3C-SiC器件中，确定了耗散的温度依赖性，1/Q ~ T^(0.3)。分析了典型双端固支梁UHF谐振器中导致耗散的可能机制。还检查了器件尺寸和维度效应对耗散的影响。发现夹持损耗在这些UHF谐振器中特别重要。随着温度升高，共振频率降低，平均频率温度系数约为-45ppm/K。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606711,
title = {Dissipation in Single-Crystal 3C-SiC Ultra-High Frequency Nanomechanical Resonators},
author = {X. L. Feng and C. A. Zorman and M. Mehregany and M. L. Roukes},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606711},
year = {2007}
}
备注
Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems Workshop Hilton Head Island, South Carolina, June 4-8, 2006 (Invited)