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硅纳米线中的高品质因子机械共振

介观与纳米尺度物理 2018-11-14 v1

摘要

实验研究了基于绝缘体上硅制备、并涂覆薄层铝的双端固支硅纳米线纳米机械谐振器的共振特性。利用磁动 scheme 在 20mK20\,\mathrm{mK} 温度下测量了不同尺寸纳米线基模的共振频率。测得的共振频率值与由欧拉-伯努利理论得到的估计值一致。测得的长为 5μm5\,\mathrm{\mu m} 谐振器的内部品质因子 3.62×1043.62\times10^4 超过了在更高温度下研究的类似谐振器的相应值。所提出的结构可用作质量传感器,预期灵敏度 6×1020gHz1/2\sim 6 \times 10^{-20}\,\mathrm{g}\,\mathrm{Hz}^{-1/2}

关键词

引用

@article{arxiv.1809.07215,
  title  = {High quality factor mechanical resonance in a silicon nanowire},
  author = {D. E. Presnov and S. Kafanov and A. A. Dorofeev and I. V. Bozhev and A. S. Trifonov and Yu. A. Pashkin and V. A. Krupenin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1809.07215},
  year   = {2018}
}

备注

6 pages: 6 figures