悬浮在SiN薄膜上的超导谐振器的性能

将器件悬浮在薄SiN薄膜上可以限制其与体衬底的相互作用，并减少对地的寄生电容。虽然将器件悬浮在薄膜上已被用于许多领域，包括使用超导电路的辐射探测，但对最大薄膜纵横比和可实现的悬浮器件品质因数（这些指标对于确定该技术的适用范围很重要）的研究较少。在这里，我们通过在薄的（~110 nm）SiN薄膜上完全制造超导共面波导谐振器来研究这些指标，其中薄膜的最短长度与厚度之比产生的纵横比约为$7.4 \times 10^3$。我们将这些薄膜谐振器与同一芯片上的衬底谐振器进行比较，发现在单光子水平下，内部品质因数相似，约为$10^5$。此外，我们确认这些薄膜不会对谐振器的热化产生不利影响，并进行了进一步的材料表征。通过实现完全悬浮在薄SiN薄膜上的高质量超导电路器件，我们的结果有助于将该技术的范围扩展到潜在用途，包括结合更高纵横比的薄膜进行器件悬浮，以及制造更大尺寸、高阻抗和高质量的器件。