用于非线性光学应用的高限制、高良率 Si3N4 波导
光学
2015-01-14 v3
摘要
本文提出了一种新型氮化硅 (Si3N4) 波导制备技术，其厚度可达 900 nm，适用于非线性光学应用。该制备方法基于在热氧化硅中刻蚀沟槽并填充 Si3N4。使用该技术未在 Si3N4 层中观察到应力诱导裂纹，从而实现了晶圆上器件的高良率。测得所得波导在约 1550 nm 波长处的传播损耗低至 0.4 dB/cm。
引用
@article{arxiv.1410.8736,
title = {High confinement, high yield Si3N4 waveguides for nonlinear optical application},
author = {Jörn P. Epping and Marcel Hoekman and Richard Mateman and Arne Leinse and René G. Heideman and Albert van Rees and Peter J. M. van der Slot and Chris J. Lee and Klaus-J. Boller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.8736},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures