氮化硅部分欧拉波导弯曲分析
光学
2019-10-17 v1
摘要
本文对850 nm波长下氮化硅部分欧拉弯曲中的各种损耗机制进行了详细分析。该结构优化了小半径光波导弯曲的传输。部分欧拉弯曲几何结构平衡了从直波导模式过渡到弯曲波导模式产生的损耗，以及弯曲波导模式的辐射损耗。我们对常用于S弯配置以产生横向偏移的45度弯曲，以及90度和180度弯曲进行了数值分析。此外，在氮化硅光子平台上制备了90度部分欧拉弯曲，以实验补充理论发现。优化后的波导弯曲允许在不增加总弯曲损耗的情况下减小有效半径，从而在光子集成电路中实现更高的元件密度。
引用
@article{arxiv.1910.07257,
title = {Analysis of silicon nitride partial Euler waveguide bends},
author = {Florian Vogelbacher and Stefan Nevlacsil and Martin Sagmeister and Jochen Kraft and Karl Unterrainer and Rainer Hainberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.07257},
year = {2019}
}
备注
This research has received funding through the grant PASSION (No. 850649) from the Austrian Research Promotion Agency (FFG) and European Union's Horizon 2020 research and innovation programme under the grant OCTCHIP (No. 688173)